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更新日期：2021年5月5日 姓 名 周长见 性 别 男 出生年月 1986年8月 籍贯 开封 民 族 汉族 政治面貌 中国共产党党员 最后学历 博士研究生 最后学位 工学博士 技术职称 副教授 导师类别 硕导 行政职务 Email zhoucj@scut.edu.cn 工作单位 电子与信息学院 邮政编码 510641 通讯地址 华南理工大学宏生科技楼 单位电话 87112980 个人主页 https://www.researchgate.net/profile/Changjian_Zhou 个人简介 2012年清华大学电子科学与技术专业获得博士学位。先后在香港科技大学、香港理工大学从事研究工作，担任研究助理、访问学者等职务。主要研究方向包括射频声学MEMS器件、微/纳传感器、纳米电子器件等。曾赴日本东京大学、美国圣克拉拉大学等进行学术交流访问，在柔性电子器件及传感系统、通孔互连等领域开展合作研究。近年来发表论文70余篇，论文总引用1200余次。在微电子器件权威期刊如IEEE Electron Device Letters, Applied Physics Letters, Journal of Micromechanics and Microengineering，Advanced Functional Materials, Nanoscale等以及电子器件顶级会议IEEE Electron Device Meeting等发表多篇论文，其中在新型柔性高频谐振器的研究工作被IOP选为“IOP Select”和年度亮点论文。受邀担任香港RGC、加拿大魁北克自然基金等项目评审，长年担任著名期刊Advanced Materials,  Applied Physics Letters，Nanoscale，Sensors and Actuators，Sensors，IEEE EDL，IEEE TED等审稿人。 工作经历 2016.09至今：副教授，华南理工大学2015.02-2016.07    Research Associate， 香港理工大学2012.11-2015.02：访问学者， 香港科技大学 2013.02-2013.03：访问研究员，东京大学2012.07-2012.11：科研助理，清华大学 教育经历 2007.09-2012.07：博士 微电子与固体电子学 清华大学2003.09-2007.07：学士 微电子学 西安电子科技大学 获奖、荣誉称号 2007年获得“陕西省优秀毕业生”称号 (1%)2009年获得“清华大学社会实践先进个人”称号2009年获得清华大学微电子所优秀奖学金2011年获得胡正明奖学金2018年广东省海外高层次人才引进“青年拔尖人才” 社会、学会及学术兼职 IEEE高级会员（Senior Member）中国微米纳米技术学会高级会员担任香港RGC、加拿大魁北克自然基金等项目评审担任Advanced Materials，Scientific Reports，Advanced Energy Materials, Sensors and Actuators, IEEE Electron Device Letters，Nanoscale, Applied Physics Letters，IEEE TED，IEEE Trans.Nanotechnology等10余种期刊审稿人 研究领域 (1) 面向未来通信（5G通信，卫星通信）的射频前端系统和关键电子元件(2) 智能传感器与系统集成(3) 压电声学电子器件(4) 低维材料电子器件 科研项目 1) 国家自然科学基金（青年项目） 超高频声表面波谐振器的温度漂移与补偿机理研究 2019.01-2021.122) 广东省国际科技合作项目 基于碳基纳米材料的集成电路互连器件研究 2020.01 - 2021.12 3) 广州市一般项目 深亚微米尺度新型集成电路互连器件研究 2018.04-2020.03 4) 广州市对外科技合作专项 面向卫星移动通信系统手持终端的一体化SIP芯片研发 2018.04-2020.035) 装备预研项目 二维材料的掺杂制备和选择性堆垛异质结电学特性研究 2017.11-2019.106) 中央高校基本业务费重点项目 深亚微米尺度碳基集成互连结构及其界面特性研究 2019.01-2020.127) 光电材料与技术国家重点实验室开放课题 基于二维半导体材料的异质结器件及其光电特性研究 2019.12-2021.12 发表论文 （1）代表性论文近年来发表论文80余篇，论文总引用1200余次。以第一作者/通信作者身份在期刊如Advanced Functional Materials、 Nanoscale、IEEE EDL, IEEE TED和电子器件顶级会议IEDM等发表论文30余篇.代表性论文如下：1. Qi Wang, Changjian Zhou, and Yang Chai. Breaking symmetry in device design for self-driven 2D material based photodetectors. Nanoscale, 12,15 8109-8118, 2020.2. Xiaodong Yang, Y. Q. Chen, Bo Hou, Xinbing Xu, Jingliang Wang, Yun Huang, Qiang Chen, Changjian Zhou. Degradation Behavior and Defect Analysis for SiC Power MOSFETs Based on Low-Frequency Noise Under Repetitive Power-Cycling Stress. IEEE Transactions on Electron Devices, 68,2,666-671, 2021.3. Yanmei Xue, ChangjianZhou, Xiu Yin Zhang, MansunChan. A Flexible High Quality-factor Bulk Acoustic Resonator Enabled with transferred single-crystal Piezoelectric thin film for Sensing Applications. Sensors and Actuators A: Physical, 326, 112721, 2021.4. Changjian Zhou, Shouyong Zhang, Zhe Lv, Zichao Ma, Cui Yu, Zhihong Feng, Mansun Chan. Self-driven WSe2 photodetectors enabled with asymmetrical van der Waals contact interfaces. npj 2D Materials and Applications, 4, 46, 2020.5. Wei Du, Zubair Ahmed, Qi Wang, Cui Yu, Zhihong Feng, Guoyuan Li, Min Zhang, Changjian Zhou, Richard Senegor and Cary Y Yang. Structures, properties, and applications of CNT-graphene heterostructures. 2D materials, 6, 4, 042005, 2019.6. Changjian Zhou, Salahuddin Raju, Bin Li, Mansun Chan, Yang Chai, and Cary Y. Yang Self-driven Metal-Semiconductor-Metal WSe2 Photodetector with Asymmetric Contact Geometries. Advanced Functional Materials, 28, 45, 1802954, 2018. 7. Changjian Zhou, Richard Senegor, Zachary Baron, Yihan Chen, Salahuddin Raju, Anshul A Vyas, Mansun Chan, Yang Chai and Cary Y Yang. Synthesis and interface characterization of CNTs on graphene. Nanotechnology, 28, 5 054007, 2017.8. Anshul A. Vyas, Changjian Zhou, and Cary Y. Yang. On-chip interconnect conductor materials for end-of-roadmap technology nodes. IEEE Transactions on Nanotechnology, 17,1,4-10, 2018.9. Changjian Zhou, and Yang Chai. Ferroelectric-gated two-dimensional-material-based electron devices. Advanced Electronic Materials, 3, 4, 1600400, 2017.10. Changjian Zhou, Yuda Zhao, Salahuddin Raju, Yi Wang, Ziyuan Lin, Mansun Chan, and Yang Chai. Carrier type control of WSe2 field- effect transistors by thickness modulation and MoO3 layer doping. Advanced Functional Materials, 26, 23, 4223-4230, 2016.11. Changjian Zhou, Xinsheng Wang, Salahuddin Raju, Ziyuan Lin, Daniel Villaroman, Baoling Huang, Helen Lai-Wa Chan, Mansun Chan  and Yang Chai. Low voltage and high on/off ratio field-effect transistors based on CVD MoS2 and ultra high-k PZT gate dielectric. Nanoscale, 7, 8695-8700, 2015.12. Changjian Zhou, Yi Shu, Yi Yang, Hao Jin, Shu-Rong Dong, Mansun Chan and Tian-Ling Ren. Flexible structured high-frequency film bulk acoustic resonators for flexible wireless electronics. Journal of Micromechanics and Microengineering, 25, 055003-1-055003-8, 2015. (IOP Select and Highlights of 2015).13. Changjian Zhou, Anshul A. Vyas, Patrick Wilhite, Phillip Wang, Mansun Chan, and Cary Y. Yang. Resistance determination for sub-100 nm carbon nanotube vias. IEEE Electron Device Letters, 36, 1, 71-73, 2015.14. Changjian Zhou, Yi Yang, Yi Shu, Hualin Cai, Tian Ling Ren, Mansun Chan, Jian Zhou, Hao Jin, Shurong Dong, and Cary Y. Yang. Visible-light photoresponse of AlN-based film bulk acoustic wave resonator. Applied Physics Letters, 102, 191914, 2013.15. Changjian Zhou, Yi Yang, Hualin Cai, Tian-Ling Ren, Mansun Chan, and Cary Y. Yang. Temperature-compensated high-frequency surface acoustic wave device. IEEE Electron Device Letters, 34, 12, 1572-1574, 2013.16. Changjian Zhou, Yi Yang, Hao Jin, Bin Feng, Shurong Dong, Jikui Luo, Tian-Ling Ren, Mansun Chan, and Cary Y. Yang. Surface acoustic wave resonators based on (002) AlN/Pt/diamond/silicon layered structure. Thin Solid Films, 548, 425–428, 2013.17. Changjian Zhou, Yi Yang, and Tian-Ling Ren. Finite element analysis of lateral field excited thickness shear mode film bulk acoustic resonator. COMPEL: The International Journal for Computation and Mathematics in Electrical and Electronic Engineering, 31, 6, 1892-1900, 2012.18. Changjian Zhou, Yi Yang, Yi Shu and Tian-Ling Ren.  Study of surface acoustic wave characteristics based on AlN/LiNbO3/diamond layered structure. Journal of Tsinghua University: Scienece and Technology (in Chinese), 52, 4, 544-549, 2012.19. Changjian Zhou, Yi Yang, Jing Zhan, Tianling Ren, Xinchang Wang, and Sifang Tian. Surface acoustic wave characteristics based on c-axis (006) LiNbO3/diamond/silicon layered structure. Applied Physics Letters, 99, 022109, 2011.20. Suwen Li, Changjian Zhou, Salahuddin Raju, and Mansun Chan. Catalyst Design for High-Density and Low-Temperature CNT Synthesis on Conductive Ti Silicide Substrate. Diamond and Related Materials, 75, 39-43, 2017. 出版专著和教材 1.Changjian Zhou, Min Zhang, Cary Y Yang. Nanocarbon Electronics. Jenny Stanford Publishing Pte., Singapore, 2021.2.Changjian Zhou, Xiangguang Tian, Tian-Ling Ren. High-Performance Acoustic Devices for Wireless Communication and Sensor Applications.   In: Huang QA. (eds) Micro Electro Mechanical Systems. Micro/Nano Technologies. Springer, Singapore. 科研创新 [1]周长见,余鹏飞,陈志坚. 一种温度自适应FBAR振荡电路[P]. CN110460307A,2019-11-15.[2]章秀银,薛艳梅,吴子莹,周长见. 一种频率可调的横向场激励薄膜体声波谐振器及制备方法[P]. CN110417373A,2019-11-05.[3]周长见,吕喆,冯志红,蔚翠. 一种基于二维半导体材料的红外探测元件及其制备方法[P]. CN109786498A,2019-05-21.[4]周长见,王琪. 一种采用声波谐振器和碳纳米管的探测器及其制造方法[P]. CN109708766A,2019-05-03.[5]周长见,吕喆,冯志红,蔚翠. 一种MSM光电探测器及其制作方法[P]. CN108987525A,2018-12-11.[6]周长见,李斌. 一种温度补偿表面声波器件及其制备方法[P]. CN107317560A,2017-11-03.[7]周长见,李斌,严伟,李国元. 一种集成碳纳米管和石墨烯的互连结构及其制造方法[P]. CN106847790A,2017-06-13. 教学活动 本科生必修课程：半导体器件 48学时本科生选修课程：微纳电子机械系统导论 32学时研究生课程：Microsystem design and fabrication 32学时 指导学生情况 在读博士研究生生1名，硕士研究生10名。