邓婉玲
| 姓名 | 邓婉玲 |
| 性别 | 女 |
| 学校 | 暨南大学 |
| 部门 | 信息科学技术学院 |
| 学位 | 发明专利包写包过 特惠申请 |
| 学历 | 信息科学技术学院 |
| 职称 | 软件著作权666包写包过 |
| 联系方式 | 实用新型1875包写包过 |
| 邮箱 | 软件测试报告2199包写包过 |
| 集群智慧云企服 / 知识产权申请大平台 微信客服在线：543646 急速申请 包写包过 办事快、准、稳 软件产品登记测试 软件著作权666元代写全部资料 实用新型专利1875代写全部资料 |
|
导航 个人简介 学习经历 工作经历 研究方向 主要论文 主要著作 承担课题,个人信息 姓名： 邓婉玲 部门： 信息科学技术学院 直属机构： 电子工程系 性别： 女 职称： 副教授 联系方式 学习经历 1999.9-2003.7 华南理工大学 电子科学与技术 本科2003.9-2008.6 华南理工大学 微电子学与固体电子学 硕博连读研究生 获博士学位 工作经历 2008.7 - 现在 暨南大学 信息科学技术学院 电子工程系 讲师、副教授 2014.7 – 2015.7 美国中佛罗里达大学 电子工程系 访问学者 研究方向 半导体器件模型招生意向欢迎对半导体器件的基础理论研究感兴趣的同学报读研究生学位。 主要论文 [1] Wanling Deng, Junkai Huang, Xiaoyu Ma, Juin J. Liou, Fei Yu. A compact drain current model for heterostructure HEMTs including 2DEG density solution with two subbands. Solid-State Electronics, 2016，115： 54–59.[2] Xiaoyu Ma, Junkai Huang, Jielin Fang, Wanling Deng*. A compact model of the reverse gate-leakage current in GaN-based HEMTs. Solid-State Electronics， 2016，126 ：10–13[3] Wanling Deng, Junkai Huang, Xiaoyu Ma, Juin J. Liou. An Explicit Surface Potential Calculation and Compact Current Model for AlGaN/GaN HEMTs. IEEE Electron Device Letters, 2015, 36(2): 108-110.[4] Wanling Deng, Junkai Huang, Xiaoyu Ma, Tao Ning. An explicit surface-potential-based model for amorphous IGZO thin-film transistors including both tail and deep states. IEEE Electron Device Letters, 2014, 35(1): 78-80.[5] Wanling Deng, Junkai Huang, Xiyue Li. Surface-Potential-Based Drain Current Model of Polysilicon TFTs With Gaussian and Exponential DOS Distribution. IEEE Trans. Electron Devices, 2012, 59(1): 94-100.[6] Wanling Deng, Junkai Huang. A Physics-Based Approximation for the Polysilicon Thin-Film Transistors Surface Potential. IEEE Electron Device Letters, 2011,32(5): 647-649. 主要著作 主持国家自然科学基金(青年基金2013-2015)、广东省自然科学基金（2013-2015）、教育部科学技术研究重点项目（2011-2013）等. 讲授课程 本科课程：《复变函数与积分变换》、《半导体器件基础》研究生课程：《微电子电路与系统设计原理》 |
