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教师主页 团队成员 科研项目 研究领域 学术成果 教学 科研分享 新闻动态 疼痛医学中心 成果介绍 软件 毕业去向 加入我们 联系我们 李毅达 Google Scholar ResearcherID 助理教授 深港微电子学院 李毅达博士，现任南方科技大学深港微电子学院助理教授、副研究员、博士生导师，IEEE高级会员，入选广东省珠江人才计划（青年拔尖），于2013年获得新加坡国立大学的博士学位，曾担任台积电（TSMC）主任工程师研发7/5nm薄膜工艺（已量产）。他从事微电子领域最前沿的研究15年，主要研究内容涉及材料，器件和系统架构相关技术。迄今在相关领域知名国际期刊（Nature Communications, ACS Nano, Nanoscale, Advanced Electronic Materials, IEEE EDL等）、会议上（IEEE VLSI，IEEE ISSCC, 等）发表论文60余篇，申请国家及国际发明专利13项，授权8项，担任Materials Futures青年编委。多次在国际/国内的学术会议中被邀请做特邀报告，包括Graphene Week 2019, IEEE VLSID 2020，2022中国（深圳）集成电路峰会，2023 ICLED，2023先进电子材料创新大会等会议。 个人简介 个人简介 研究领域 1. 新型半导体材料器件 - 逻辑和存储器件 2. 硬件加速器、存算一体计算架构 教学 SME102 （春）- 微电子基础概论（本科生） 本课程介绍集成电路的基础和芯片制作过程，如模拟电路中放大器电路和数字电路中的与或非等逻辑门电路；另外包括CMOS集成电路的工艺流程。   SME203 （秋） - 微电子基础I（本科生） 本课程教学要求学生基本掌握量子力学的初步知识和半导体物理基础知识， 包括固体晶格结构，量子力学和固体量子理论；半导体材料物理知识。本课程侧重于基本概念的掌握，要求学生了解半导体器件物理的发展脉络，获取微电子学方面的基础理论和工程信息。使学生初步掌握分析、解决工程实际问题的思路和方法，同时为学生以后从事微电子，材料等相关方向的教学科研或者工艺开发打下扎实的理论基础。  SME204（春）- 微电子基础II（本科生） 本课程教学要求学生基本掌握半导体材料特性及半导体器件的基本原理、 理解多种半导体器件及其发展趋势、理解半导体器件的应用领域及半导体工业、并利用设计和仿真计算基本半导体器件的特性。  SME5024 （春）- 存算一体导论 - 从材料到系统（研究生） 本课程将向研究生介绍当今最流行的非冯诺依曼计算架构之一 – 存内计算。该架构即将在未来的计算机芯片中实现，克服计算能耗的问题，以进行大量数据的计算。教给学生的概念包括 1. 非冯诺依曼计算架构，2. 内存计算的新兴设备，3. 内存计算的应用，4. 使用基于存内计算的人工神经网络和硬件算法协同设计，5.内存计算的控制电路。 学术成果 查看更多 Selected Journals (Past 3 years) 1. 1. Q. Zhu, B. Jiang, J. Lan, Z. Hou, Y. Dong, Z. Wang, X. Feng, M. Shen, H. Yu, K. Chen, J. Li, L. Lin, F. Zhou, and Y. Li*(corr), “Analog HfxZr1-xO2 Memristors with Tunable Linearity for Implementation in a Self-Organizing Map Neural Network”, Advanced Electronic Materials (Accepted) 2. W. Wang, K. Li, J. Lan, M. Shen, Z. Wang, X. Feng, H. Yu, K. Chen, J. Li, F. Zhou, L. Lin, P. Zhang, and Y. Li*(corr), “CMOS Backend-of-Line Compatible Memory Array and Logic Circuitries Enabled by High Performance Atomic Layer Deposited ZnO Thin-film Transistor”, Nature Communications, 14, 6079 (2023). https://doi.org/10.1038/s41467-023-41868-5 3. J. Lan, Z. Li, Z. Chen, Q. Zhu, W. Wang, M. Zaheer, J. Lu, J. Liang, M. Shen, P. Chen, K. Chen, G. Zhang, Z. Wang, F. Zhou, L. Lin and Y. Li*(corr), “Improved Performance of HfxZnyO-Based RRAM and its Switching Characteristics down to 4K Temperature”, Adv. Electron. Mater. 2023, 2201250 4. M. Zaheer, A.-U.-R. Bacha, I. Nabi, J. Lan, W. Wang, M. Shen, K. Chen, G. Zhang, F. Zhou, L. Lin, M. Irshad, F. Faridullah, A. Arifeen, and Y. Li*(corr), “All Solution-Processed Inorganic, Multilevel Memristors Utilizing Liquid Metals Electrodes Suitable for Analog Computing”, ACS Omega, 7, 45, 40911–40919, 2022 (Front Cover) 5. J. Lu, W. Wang, J. Liang, J. Lan, L. Lin, F. Zhou, K. Chen, G. Zhang, M. Shen, Y. Li*(corr), “Contact Resistance Reduction of Low Temperature Atomic Layer Deposition ZnO Thin Film Transistor Using Ar Plasma Surface Treatment”, in IEEE Electron Device Letters, vol. 43, no. 6, pp. 890-893, June 2022 6. B. Tang, H. Veluri, Y. Li, Z. G. Yu, M. Waqar, J. F. Leong, M. Sivan, E. Zamburg, Y.-W. Zhang, J. Wang, and A. Thean, “Wafer-scale Solution-Processed 2D Material Analog Resistive Memory Array for Next-Generation Memory-Based Computing”, Nat Comms, 13, 3037 (2022). 7. J. Pan*, Y. Li*(co-first), Y. Luo, X. Zhang, X. Wang, D. L. T. Wong, C.-H. Heng, C.-K. Tham, and A. V.-Y. Thean, “Hybrid-Flexible Bimodal Sensing Wearable Glove System for Complex Hand Gesture Recognition” ACS Sensors Article ASAP, DOI: 10.1021/acssensors.1c01698, 2021 8. H. Veluri, Y. Li, J. X. Niu, E. Zamburg and A. V. -Y. Thean, “High-Throughput, Area-Efficient, and Variation-Tolerant 3-D In-Memory Compute System for Deep Convolutional Neural Networks,” in IEEE Internet of Things Journal, vol. 8, no. 11, pp. 9219-9232, 1 June1, 2021, doi: 10.1109/JIOT.2021.3058015. 9. H. Veluri, U. Chand, Y. Li, B. Tang and A. V. -Y. Thean, “A Low-Power DNN Accelerator Enabled by a Novel Staircase RRAM Array,” in IEEE Transactions on Neural Networks and Learning Systems, doi: 10.1109/TNNLS.2021.3118451. 10. Y. Li, X. Feng, M. Sivan, J. F. Leong, B. Tang, X. Wang, J. N. Tey, J. Wei, K. W. Ang and A. V. Y. Thean, Aerosol Jet Printed WSe2 Crossbar Architecture Device on Kapton with Dual Functionality as Resistive Memory and Photosensor for Flexible System Integration, IEEE Sensors, vol. 20, no. 9, pp. 4653-4659, May 2020 11. J. Pan*, Y. Luo*, Y. Li*(co-first), C. Tham, C. Heng and A. V. Thean, “A Wireless Multi-Channel Capacitive Sensor System for Efficient Glove-based Gesture Recognition with AI at the Edge,” in IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs, DOI: 10.1109/TCSII.2020.3010318., Dec 2020 (*co-first) 12. Y. Luo, Y. Li, A. V. -Y. Thean and C. -H. Heng, “A 70-μW 1.35-mm² Wireless Sensor With 32 Channels of Resistive and Capacitive Sensors and Edge-Encoded PWM UWB Transceiver,” in IEEE Journal of Solid-State Circuits, vol. 56, no. 7, pp. 2065-2076, July 2021 13. B. Xiong, Y. Li, A. V. Thean and C. Heng, “A 7 x 7 x 2 mm3 8.6- µW 500-kb/s Transmitter With Robust Injection-Locking-Based Frequency-to-Amplitude Conversion Receiver Targeting for Implantable Applications,” in IEEE Journal of Solid-State Circuits, vol. 55, no. 6, pp. 1698-1708, June 2020 14. Luo, Y. Li, A. V. Thean and C. Heng, “An 8.2- µW 0.14-mm2 16-Channel CDMA-Like Capacitance-to-Digital Converter,” in IEEE Journal of Solid-State Circuits, vol. 55, no. 5, pp. 1361-1373, May 2020   Selected Conferences (Past 3 years) 1. Q. Zhu, J. Lan, B. Zhou, M. Zaheer, J. Liang, P. Chen, F. Zhou, L. Lin, G. Zhang, M. Shen, X. Feng, Z. Cheng, Z. Li, Yida Li*(corr), “Hf1-xZrxO2 RRAM Prepared via Co-Sputtering with High Uniformity, Fast Switching Time of 10 ns, and Low Switching Energy of 20 pJ”, International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), F-2-04, 2022  2. M. Shen, J. Lu, W. Wang, J. Lan, J. Liang, F. Zhou, L. Lin, Y. Li*, “Field-Effect Mobility Enhancement in Low Temperature ALD ZnO Thin-film Transistors via Contact Defects Engineering Suitable for BEOL Integration”, 2022 IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing (EDTM), Oita, Japan, March 2022 3. J. Lan, Q. Zhu, Y. Zhang, M. Zaheer, J. Liang, W. Wang, M. Shen, Z. Li, Z. Chen, H. Wei, G. Zhang, and Y. Li*, “Zinc-Alloyed HfO2 Based Artificial Synaptic RRAM With Operating Voltages And Switching Energy Improvement For Ultra-High-Density Embedded Memory Applications”, 2022 IEEE CSTIC, Shanghai, China, June 2022 (accepted) 4. W.  Wang, J. Lu, J. Lan, B. Zhou, Y. Zhang, J. Liang, M. Shen*, G. Zhang, F. Zhou, L. Lin and Y. Li*, “Air Stable High Mobility ALD ZnO TFT With HfO2 Passivation Layer Suitable For CMOS-BEOL Integration”, 2022 IEEE CSTIC, Shanghai, China, June 2022 (accepted) 5. Y. Luo, Y. Li, A. V. Y. Thean and C. H. Heng, “A 70μW 1.19mm2 Wireless Sensor with 32 Channels of Resistive and Capacitive Sensors and Edge-Encoded PWM UWB Transceiver”, 2020 IEEE International Solid-State Circuits Conference, 2020, pp. 346-348.   新闻动态 更多新闻 南方科技大学深港微电子学院-深圳市存厚科技有限公司联合实验室正式成立 2023-10-01 高性能ALD ZnO 晶体管发表于Nature Communications 2023-10-01 深港微电子学院2022年国家奖学金获得者 - 兰峻 2023-08-08 团队成员 查看更多 PrevNext UpDown 加入团队 研究助理教授、博士后岗位要求及待遇（2名）1.承担相关课题研究，协助课题组建设管理、项目申请书撰写，指导博士生、硕士生及本科生科研工作。2.35岁以下 （博士后），或近期能够通过博士答辩，有海外学习研究经历者优先。3.具备以下（至少一项）经验- 微纳加工、纳米材料、新型存储，逻辑器件、三维集成、柔性电子、传感器、智能系统开发、电化学、及相关交叉学科具有强烈兴趣的学者。4.性格开朗易沟通、风趣幽默、有责任感及抗压能力；踏实细心，有独立思考及实验操作能力，具备团队合作精神。5.发表过2篇以上相关领域第一作者或共同第一作者学术论文，具有优秀的英语阅读写作能力和表达能力。6.聘期两年，年薪不低于30万（含省市补贴）；特别优秀者可申请校长卓越博士后，年薪不低于40万元 （含省市补贴）。按照深圳市有关规定享受基本养老保险、基本医疗保险、失业保险、工伤保险、生育保险、住房公积金及住房补贴待遇；享受过节费、每月餐补、高温补贴、免费体检等福利待遇。 7.学校为每位博士后提供 2.5 万元的学术交流资助。8.博士后出站后可申请深圳市的30 万元出站科研资助；如果留深工作，符合条件者可获得深圳市高层次人才购房补贴 160-200 万元；如果成功申请到广东省特支计划再加 50 万个人补贴。9.对于符合最新《深圳市新引进人才租房和生活补贴》相关政策要求的博士后，在深圳落户后，可申请深圳市一次性租房和生活补贴3万元（免税，自行网上申请）。10.更多博士后项目及基金介绍请参考https://mp.weixin.qq.com/s/K0rO0y8bwThfK4M7QyTlxg研究助理要求及待遇（2名）1.30岁以下，具有电子、化学、材料、机械、等相关专业优秀的本科及以上学历。2.性格开朗易沟通；踏实细心，学习态度端正，有较强的实验操作能力和团队合作精神。3.具有良好的英语阅读写作及表达能力。4.研究助理月薪5000元起（本科）或7000元起（硕士），基于能力、经验及表现适当调整；按照深圳市有关规定享受基本养老保险、基本医疗保险、失业保险、工伤保险、生育保险、住房公积金及住房补贴待遇；享受过节费、每月餐补、高温补贴、免费体检等福利待遇。5.表现优秀且有继续深造意向的可推荐申请南科大和国外大学（境外）合作培养研究生项目或南科大和国内一流大学（境内）合作培养的研究生项目联系方式有意者请电邮联系负责人 – liyd3@sustech.edu.cn，请将pdf格式的详细简历及相关证书（博士后、研究助理及研究生博士生需包含论文及其他科研成果情况说明，及一页以内的英文研究计划）附上。邮件以“招聘岗位_应聘者姓名”为题，还有请注明预计可到岗时间。申请人个人信息将被严格保密。心动不如行动，还在犹豫什么？ 查看更多 联系我们 联系地址 深圳市南山区智园崇文园区3号楼417，邮编 518055 办公电话 0755-8801-5895 电子邮箱 liyd3@sustech.edu.cn