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吴为敬

姓名 吴为敬
性别
学校 华南理工大学
部门 发光材料与器件国家重点实验室
学位 教授
学历 教授
职称 教授
联系方式 实用新型1875包写包过
邮箱 wuwj@scut.edu.cn
   
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更新日期:2023年9月21日 姓 名 吴为敬 性 别 男 出生年月 1979年4月 籍贯 连江 民 族 汉族 政治面貌 中国共产党党员 最后学历 博士研究生毕业 最后学位 工学博士 技术职称 教授 导师类别 博、硕导 行政职务 Email wuwj@scut.edu.cn 工作单位 发光材料与器件国家重点实验室 邮政编码 通讯地址 单位电话 个人简介 吴为敬,男,博士,教授,博士生/硕士生导师 , IEEE会员,SID会员。发光材料与器件国家重点实验室固定成员,SID北京分会显示电子(Display Electronics)技术委员会委员,长期从事薄膜晶体管器件物理、薄膜电子器件集成及应用的教学及研究工作。主持3项国家自然科学基金项目、广东省重大科技专项,2项华为研究项目,广东省优秀博士学位论文作者资助项目、广东省自然科学基金、中央高校基本科研业务费重点/面上项目等9项,参与国家“863”、“973”、广东省重大科技专项、广州市科技计划等项目5项。在IEEE Transactions on Electron Devices、IEEE Electron Device Letters等国际期刊上发表SCI论文30余篇,多个国际期刊审稿人。申请发明专利10余件,已授权8件。发明阈值电压一次锁存的显示驱动新方法,可显著降低基于LTPS/LTPO/Oxide背板技术的AMOLED/Micro LED显示的动态功耗(节省40%-50%),有望解决LTPO  OLED 显示高刷新率下能耗焦虑的行业痛点; 在国际上较早实现 TFT 有源 PWM 驱动的 Micro LED 显示屏;研究设计一系列TFT行驱动电路,技术成果应用于国内首块柔性 AMOLED 显示屏,荣获 2017 年广东省技术发明一等奖;发展出一种 TFT 有源层陷阱态密度(DOS)的解析提取方法,为氧化物 TFT 的材料优化、工艺改进、 可靠性评估等方面提供一种便捷的 DOS 分析手段。 工作经历 2019.9-            华南理工大学材料科学与工程学院 教授 2011.9-2019.8  华南理工大学材料科学与工程学院  副教授 2018.2-2018.8  香港科技大学电子与计算机工程系访问学者  (合作教授:Mansun Chan  IEEE Fellow)2017.2-2017.8  香港科技大学电子与计算机工程系访问学者  (合作教授:Mansun Chan  IEEE Fellow )2008.7-2011.8  华南理工大学材料科学与工程学院  讲师 教育经历 2003.9-2008.6   华南理工大学   电子与信息学院       微电子学与固体电子学       博士 1999.9-2003.6    华南理工大学  物理科学与技术学院  电子科学与技术(微电子) 学士 获奖、荣誉称号 首批全国高校黄大年式教师团队成员(2018)首届中国光学科技奖三等奖(2018,7) 广东省技术发明一等奖 (2017,8)第九届广东省教育教学成果奖(高等教育)一等奖  (2020,6)第八届广东省教育教学成果奖(高等教育)一等奖  (2017,5)第七届广东省教育教学成果奖(高等教育)二等奖 (2014,3)广东省优秀博士学位论文 (2009)第二届南粤科技创新优秀学术论文三等奖 (2011)南粤科技创新优秀学术论文二等奖 (2008) 社会、学会及学术兼职 SID北京分会显示电子(Display Electronics)技术委员会委员。 发表论文 1.C. Liu, L.Zhou, Z.H. Zhou, F.F.Li,X.Q.Wei, M.Xu,L.Wang, W.J.Wu, J.B.Peng. A high-reliability scan driver integrated circuit by MO TFTs for a foldable display. Flexible and Printed Electronics,8(2023)015015. 2.J.R.Chen,W.X.Xu,W.C.Zuo,X.L.Mei,L.Zhou, M.Xu,L.Wang, W.J.Wu, Y.R.Liu, J.B.Peng. A 50 dB high-gain operational amplifier integrated with metal-oxide TFTs. Semicond. Sci. Technol. 37:105010 (7pp),2022. 3.P.A.Zou, Y.G.Xu, C.Liu,  L.R.Zhang, J.H.Zhang, Y.K.Yuan, W.Cai, S.H.Han, L.Zhou, M.Xu, L.Wang, W.J.Wu, J.B.Peng. A new analog PWM pixel circuit with metal oxide TFTs for Micro-LED displays. IEEE Transactions on Electron Devices, 69(8): 4306-4311,2022.4.K.Xiang, H.Y. Li, F.F. Li, H. Xu,L.Zhou, M.Xu, L.Wang, W.J.Wu*, J.B.Peng. An analytical frequency-dependent capacitance-voltage model for metal oxide thin-film transistors.    IEEE Transactions on Electron Devices, 69(1): 141-146, Jan. 2022.5.Y.Z.Lin, C.Liu, J.H. Zhang, Y.K. Yuan, W.Cai, L.Zhou, M.Xu, L.Wang,W.J.Wu*, J.B.Peng. Active-Matrix Micro-LED display driven by metal oxide TFTs using digital PWM method. IEEE Transactions on Electron Devices, 68(11): 5656-5661, Nov. 2021.6.Y.G. Xu, C.P. Ruan, L.Zhou, J.H.Zou,M.Xu*, W.J.Wu*, L. Wang, J.B.Peng. A 256×256,50 μm Pixel pitch OPD image sensors based on an IZO TFT backplane. IEEE sensors Journal, 21(18):20824-20832, Sep.2021. 7.P.A. Zou, J.W. Chen, K. Xiang, L.Zhou, J.H.Zou, M.Xu, L.Wang, W.J.Wu*, J.B.Peng, M.Chan. A modified NMOS inverter with rail-to-rail output swing and its application in the gate driver by metal oxide TFTs.IEEE Journal of The Electron Devices Society, 9:722-727, 20218.X.L.Mei, Z.J.Chen, W.X. Xu, L.Zhou, W.J.Wu*, J.H.Zou, M.Xu, L.Wang, Y.R.Liu, J.B.Peng. A Common Drain Operational Amplifier Using Positive Feedback Integrated by Metal-Oxide TFTs.IEEE Journal of The Electron Devices Society, 9:342-347, 2021.9.林奕圳,胡宇峰,周雷,吴为敬*,邹建华,徐 苗,王磊,彭俊彪. 新型低功耗金属氧化物 TFT 集成行驱动电路. 发光学报, 41(1):103-109, 2020. (EI)10.Y.G. Xu, J.W.Chen, W.X.Xu,  L.Zhou, W.J.Wu*, J.H.Zou,M.Xu,  L. Wang, J.B.Peng. A metal oxide TFT gate driver with a single negative power source employing a boosting module. Journal of information display, 21(1):57-64,2020. (EI)11.W.X. Xu, J.W.Chen, L. Zhou, M. Xu,  L. Wang,W.J. Wu*, Y.R. Liu, J.B. Peng. High-Speed ring oscillator using skewed delay scheme integrated by metal-oxide TFTs. IEEE Transactions on Electron Devices, 67(12): 5526-5531, Dec. 2020.12.C. Liu, Y.Z.Lin, W.J. Wu*, L. Zhou, M. Xu, L. Wang, J.B. Peng. A scan driver including light emission control integrated by metal-oxide thin-film transistors . Semiconductor Science and Technology, 36:025006, 2020.13.G.M. Qing, L.J. Zhang*, D.Yuan, H.Y. Jiang, W. Tang, M.J. Chen, W.J. Wu*, Y. Cao, J.W. Chen*. Simultaneous improvement of three parameters using a binary processing solvent system approach in as-cast non-fullerene solar cells. J. Mater. Chem. A, 2019, 7,25978-25984. 14.Y.G. Xu, J.W. Chen, W.X. Xu, L. Zhou, W.J.Wu*, J. H. Zou, M. Xu, L.Wang, J.B. Peng. A metal oxide TFT gate driver with a single negative power source employing a boosting module. Journal of Information Display,2019.  https://doi.org/10.1080/15980316.2019.1689190 15.L.R. Zhang, W.P. Xiao, W.J. Wu*, B.Q. Liu*. Research Progress on Flexible Oxide-Based Thin Film Transistors. Applied Sciences, 9(4):773, 2019.16.Z.J. Chen, W.X. Xu, J.D. Wu, L. Zhou, W.J. Wu*, J.H. Zou, M. Xu, L. Wang, Y.R. Liu, J.B. Peng. A new high-gain operational amplifier using transconductance-enhancement topology integrated with metal oxide TFTs. IEEE Journal of The Electron Devices Society, 7(1):111-117, 2019.17.J.D. Wu, Z.J. Chen, J.S. Wang, L. Zhou, W.J. Wu*, M. Xu, L. Wang, R.H. Yao, J.B. Peng. Manchester-encoded data transmission circuit integrated by metal-oxide TFTs suitable for 13.56MHz radio-frequency identification tag application. IET Circuits Devices & Systems, 12(6):771-776, 2018.18.W.J. Wu, J.W. Chen, J.S. Wang, L. Zhou, H. Tao, J.H. Zou, M. Xu*, L. Wang, J.B. Peng*, M. Chan. High-Resolution Flexible AMOLED Display Integrating Gate Driver by Metal–Oxide TFTs. IEEE Electron Device Letters, 39(11):1660-1663, 2018.19.F. Zhan, J.D. Wu, L. Zhou, J.H. Zou, H. Tao, M. Xu, L. Wang, M. Huang, Y.R. Liu, W.J. Wu*, J.B. Peng. A low-power D flip flop integrated by metal oxide thin film transistors employing internal feedback control. Semiconductor Science and Technology, 33:115004, 2018.20.X.Z. Liu, H.L. Ning, W.F. Chen, Z.Q. Fang, R.H. Yao*, X.F. Wang, Y.X. Deng, W.J. Yuan, W.J. Wu*, J.B. Peng. Effect of Source/Drain Electrodes on the Electrical Properties of Silicon-Tin Oxide Thin-Film Transistors. Nanomaterials, 8(5):293, 2018.21.M. Li, W. Zhang, W.F. Chen, M.L. Li, W.J. Wu*, H. Xu, J.H. Zou, H. Tao, L. Wang, M. Xu*, J.B. Peng. Improving Thermal Stability of Solution-Processed Indium Zinc Oxide Thin-Film Transistors by Praseodymium Oxide Doping. ACS Appl. Mater. Interfaces, 10(34): 28764−28771, 2018.22.W.F. Chen, W.J. Wu*, L. Zhou, M. Xu, L. Wang, H.L. Ning, J.B. Peng. A semi-analytical extraction method for interface and bulk density of states in metal oxide thin-film transistors. Materials, 11(3): 416, 2018. 23.W.F. Chen, G.M. Qin, L. Zhou, W.J. Wu*, J.H. Zou, M. Xu, L. Wang, J.B. Peng. A physics-based model of flat-band capacitance for metal oxide thin-film transistors. AIP Advances, 8(6): 065319, 2018. 24.J.W. Chen, Y.F. Hu, Z.J. Chen, L. Zhou, W.J. Wu*, J.H. Zou, M. Xiao, L. Wang, J.B. Peng. A low-power gate driver integrated by IZO TFTs employing single negative power source. Semiconductor Science and Technology, 33(6):065006-1-6, 2018. 科研创新 专利:发明人,题目,专利号,申请日期, 授权日期1、吴为敬 夏兴衡 李冠明 张立荣 周雷 徐苗 王磊 彭俊彪. 一种基于薄膜工艺的射频识别标签制备方法。 专利号: ZL 2015 1 0633513.0 , 申请日:2015.09.28, 授权公告日:2018.09.142、吴为敬 胡宇峰 李冠明  徐苗 王磊  彭俊彪。 一种栅极驱动单元及行栅极扫描驱动器及其驱动方法。专利号: ZL 2016 10362978.1, 申请日:2016.05.25. 授权公告日:2018.06.223、吴为敬 李冠明 胡宇峰 徐苗 王磊  彭俊彪。 一种驱动电路单元及其驱动方法及行栅极驱动集成电路。专利号: ZL 2016 10504990.1, 申请日:2016.06.28. 授权公告日:2018.07.204、吴为敬 黄长煜 姚若河,  栅极集成驱动电路的反相器、栅极集成驱动器及驱动方法 ZL 201410755782.X ,2014.12.10  2017.09.265、吴为敬 李冠明 夏兴衡 张立荣 周雷 徐苗 王磊 彭俊彪一种行栅极扫描器及其驱动方法 ZL201410175542.2, 2014.04.28, 2017.04.056、吴为敬 宋小锋,张立荣 李冠明 王磊 彭俊彪. 一种行集成电路。 ZL 2014 1 0114475.3, 2014.03.26, 2016.08.177、吴为敬 张立荣 宋小锋 周雷 徐苗 王磊 彭俊彪 平板显示器的栅极驱动电路及其低功耗输出模块 ZL201410211781.9, 2016.05.048、吴为敬 夏兴衡 李冠明 周雷 张立荣 王磊 彭俊彪 有源有机电致发光显示器的像素电路及其驱动方法  ZL201410214112.7  2016-05-049、吴为敬 李冠明 张立荣 夏兴衡 周雷 徐苗 王磊 彭俊彪 栅极驱动单元及栅极扫描驱动器及其驱动方法 ZL201310652260.2  2016-03-0210、吴为敬 夏兴衡 李冠明 周雷 张立荣 王磊 彭俊彪 一种有源有机电致发光显示器的像素电路的驱动方法 ZL201310511553.9  2015-12-0211、吴为敬 张立荣 周雷 徐苗 王磊 彭俊彪 有源有机电致发光显示器扫描驱动器及其驱动方法 ZL201210553756.X 2015-06-0312、吴为敬 张立荣 周雷 徐苗 王磊 彭俊彪 有源有机电致发光显示器的扫描驱动器及其驱动方法 ZL201210505333.0  2014-12-31 13、许志平 吴为敬 赖志成 谢佳松 颜骏 具有单栅双沟道结构的薄膜晶体管及其制造方法 ZL201110110050.1  2013-07-03

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