教师主页移动版

主页 > 北京市 > 北京科技大学

张先坤

姓名 张先坤
性别 发明专利4999代写全部资料
学校 北京科技大学
部门 前沿交叉科学技术研究院
学位 发明专利包写包过 特惠申请
学历 版权登记666包过 代写全部资料
职称 软件著作权666包写包过
联系方式 实用新型1875包写包过
邮箱 软件测试报告2199包写包过
   
集群智慧云企服 / 知识产权申请大平台
微信客服在线:543646
急速申请 包写包过 办事快、准、稳
软件产品登记测试
软件著作权666元代写全部资料
实用新型专利1875代写全部资料

.banner{ background: url(/_ts/zwmb06/images/banner.jpg) center 0 no-repeat; } English 首页 科学研究 研究领域 科研项目 论文成果 专利软著 著作成果 教学研究 授课信息 教研项目 教研成果 获奖信息 招生信息 学生信息 最新动态 更多 10 同专业博导 张先坤 Zhangxiankun 暂无内容 教授 博士生导师 学科:材料物理与化学 所在单位:前沿交叉科学技术研究院 电子邮箱:zhangxiankun@ustb.edu.cn more+ 暂无内容 123 社会兼职 暂无内容 研究方向 ·基于范德华异质结的高性能微电子器件与电路集成 ·基于低维材料的新型半导体电子与光电器件 ·低维材料的可控合成与晶格结构设计 教育经历 2010.9-2014.6 湖北大学 |  材料物理 |  学士 |  本科  2014.9-2019.6 北京科技大学 |  材料科学与工程 |  博士 |  研究生  工作经历 2018.12-2020.12  香港城市大学  授课信息 暂无内容 团队成员 暂无内容 科研项目|论文成果 1.范德华金属的可控掺杂与低功耗电子器件研究, 中央高校基本科研业务费, 进行 1.H. Yu, Z. Cao, Z. Zhang, X. Zhang*, and Y. Zhang*. Flexible electronics and optoelectronics of 2D van der Waals materials, International Journal of Minerals, Metallurgy and Materials, 2022, DOI: 10.1007/s12613-022-2426-3. 2.Wenhui Tang#, X. Zhang#, Huihui Yu, Gao Li, Xiaofu Wei, Mengyu Hong, Qinghua Zhang, Lin Gu, Qingliang Liao, Zhuo Kang, Zheng Zhang*, and Yue Zhang*. A van der Waals ferroelectric tunnel junction for ultrahigh temperature operation memory. Small Methods, 2022, DOI: 10.1002/smtd.202101583 3.Y. Yu#, X. Zhang#, Z. Zhou, Z. Zhang, Y. Bao, H. Xu, L. Lin, Y. Zhang*, and X. Wang*. Microscopic and quantitative characterization of defect in MoS2 monolayer by pump-probe technique. Photonics Research, 2019, 7(7), 711-721. 4.B. Liu#, X. Zhang#. J. Du, J. Xiao, H. Yu, M. Hong, L. Gao, Y. Ou, Z. Kang, Q. Liao, Z. Zhang*, and Y. Zhang*, Synergistic-engineered van der Waals photodiodes with high efficiency. InfoMat, 2022, DOI: 10.1002/inf2.12282. 5.L. Gao#, Q. Liao#, X. Zhang#, X. Liu, L. Gu, B. Liu, J. Du, Y. Ou, J. Xiao, Z. Kang, Z. Zhang*, and Y. Zhang*. Defect-Engineered atomically thin MoS2 homogeneous electronics for logic inverters. Advanced Materials, 2020, 32(2), 1906646. 6.X. Zhang, L. Gao, H. Yu, Q. Liao, Z. Kang, Z. Zhang*, and Y. Zhang*. Single-atom vacancy doping in two-dimensional transition metal dichalcogenides. Accounts of Materials Research 2021, 2(8), 655-668. 查看更多 版权所有©北京科技大学 京公网安备:110402430062  京ICP备:13030111号-1 登录后台      手机版 访问量: 0000003883 次 开通时间:2022-9-30 最后更新时间:2024-3-18

张先坤