10199周伟
姓名 | 10199周伟 |
性别 | 男 |
学校 | 电子科技大学 |
部门 | 发明专利包写包过 加急申请 |
学位 | 工学博士学位,学院列表 01 信息与通信工程学院 02 |
学历 | 版权登记666包过 代写全部资料 |
职称 | 软件著作权666包写包过 |
联系方式 | 【发送到邮箱】 |
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集成电路科学与工程学院(示范性微电子学院) 导师代码: 10199 导师姓名: 周伟 性 别: 男 特 称: 职 称: 副教授 学 位: 工学博士学位 属 性: 专职 电子邮件: weizhou@uestc.edu.cn 学术经历: 曾在新加坡、日本北海道大学、香港科技大学作访问学者。2004年底回国到电子科技大学微电子与固体电子学院工作。 个人简介: 于1991年、1996年在天津南开大学物理系分别获得学士、硕士学位,并在1999年博士毕业于中国科学院半导体研究所。后出国去新加坡,在材料工程研究所(InstituteofMaterialsResearch&Engineering)研究GaInNAs材料的MOCVD生长和性质以及它在光电子器件的应用。2002年至2003年在日本北海道大学电子科学研究所作访问学者,用新的金属有机物源研究和生长发光波长为1.55mm的GaInNAs/GaAs量子阱激光器。2003年至2004年在香港科技大学电子电机工程系作客座研究员,研究与开发MOCVD生长锑化物材料的变形异质双集结晶体管(MetamorphicHBT)和变形异质结高迁移场效应晶体管(MetamorphicHEMT)。2004年底回国到电子科技大学工作。在《Appl.Phys.Lett.,》、《J.Cryst.Growth.》、《Appliedsurfacescience.》、《JournalofElectronicMaterials》、《J.Vac.Sci.Technol.》、《J.Appl.Phys.》等SCI重要刊物上发表论文三十多篇,主要研究领域为:III-V族化合物半导体异质结构材料的MOCVD和MBE外延生长、物理及器件应用研究。目前主要研究方向为:III-N(GaN、GaInN、AlGaN等)材料的光电子、微电子器件(HEMT、HBT)设计、制备及微系加工技术(MEMS)研究。 科研项目: 研究成果: 专业研究方向: 专业名称 研究方向 招生类别 140100集成电路科学与工程 01微电子器件与集成电路 硕士学术学位 085403集成电路工程 01微电子器件与集成电路 硕士专业学位 |