马晓玉
姓名 | 马晓玉 |
性别 | 女 |
学校 | 暨南大学 |
部门 | 信息科学技术学院 |
学位 | 020-85222481 |
学历 | 信息科学技术学院 |
职称 | 020-85222481 |
联系方式 | 【发送到邮箱】 |
邮箱 | 【发送到邮箱】 |
人气 | |
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导航 个人简介 学习经历 工作经历 研究方向 主要论文 主要著作 承担课题,个人信息 姓名: 马晓玉 部门: 信息科学技术学院 直属机构: 电子工程系 性别: 女 职称: 高级实验师 联系电话: 020-85222481 电子邮箱: xiaoyuma0819@126.com 联系方式 学习经历 2014至今 暨南大学 信息科学技术学院 计算机应用技术 攻读博士2004/09 - 2006/06 暨南大学 通信与信息系统专业 硕士2000/09 - 2004/06 长春大学 计算机科学与技术专业 会计学专业 双学士 工作经历 2007/01 - 2010/12 暨南大学信息科学技术学院 电子工程系 助理实验师2011/01 - 2017/09 暨南大学信息科学技术学院 电子工程系 实验师2017/10至今 暨南大学信息科学技术学院 电子工程系 高级实验师 研究方向 智能系统的集成电路与器件,器件模型,数模混合电路 主要论文 [1] Xiaoyu Ma, Junkai Huang, Jielin Fang, Wanling Deng . A compact model of the reverse gate-leakage current in GaN-based HEMTs. Solid-State Electronics, 2016, 126: 10-13. ( SCI收录 )[2] Xiaoyu Ma, Songlin Chen, Wanling Deng, and Junkai Huang. Modeling of I-V characteristics in symmetric double-gate polysilicon thin-film transistors, AIP Advances,2017,6(7) : 065201. ( SCI收录 ) [3] Ma Xiaoyu, Deng Wanling, Huang Junkai. Explicit solution of channel potential and drain current model in symmetric double-gate polysilicon TFTs, Journal of Semiconductors, 2014,35(3): 032002. (EI收录)[4] Xiaoyu Ma, Fei Yu, Wanling Deng , Junkai Huang. Physics-based Modeling of Gate-leakage Current in AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors. the 23rd International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices -TFT Technologies and FPD Materials- (AM-FPD ’16). Kyoto, Japan: July 2016:157-159. (EI收录)[5] Xiaoyu Ma, Wanling Deng, Junkai Huang. Explicit approximation of surface potential for fully-depleted polysilicon thin-film transistors. International Workshop on Junction Technology (IWJT 2012 ). Shanghai, China: May 2012:164-167. [6] 马晓玉,邓婉玲,黄伟英,黄君凯.多维结构实践教学模式在电子信息类专业的实践. 实验室研究与探索.Vol.31,No.8, P364-366. 2012年8月. 主要著作 2.1. 主要教学改革项目(1)广东省高等教育学会实验室管理专业委员会 “基于协同育人模式的电子信息类专业学生创新能力培养与探索”,起止年月:2017年1月至2018年7月。 2)暨南大学教学改革项目:“基于协同模式的电子信息类专业探索与研究”, 起止年月:2016 年6 月至2017 年5 月。申 2.申请专利:1)“基于分级报警的多功能老年人监护仪”参 3. 参与科研项目 参与国家自然科学基金两项,青年基金两项 参与广东省自然科学基金两项 参与广州市科技计划项目一项 讲授课程 数字电子技术实验,数字电路与系统设计基础实验,电子技术基础实验,电子技术综合实验 |