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个人简介：Personal Profile 宓珉瀚，男，硕士生导师。2018年3月获得西安电子科技大学微电子学与固体电子学博士学位，同年5月留校任教。目前主要研究方向是氮化镓基微波毫米波器件、新型高线性及低压高效率器件。近年来主持了国防重大专项课题、国防预研项目课题、科技部重点研发计划子课题、国家自然科学基金青年项目、中国博士后面上一等资助、行业龙头企业横向项目等多项课题研究，主持项目总结费超过1000万元，并作为项目骨干承担了国家科技重大专项、军科委基础加强项目及科技部重点研发等国家重点课题的研制，在氮化镓基毫米波器件、新型高线性及低压高效率器件研究方面取得了一系列的创新性成果。在IEEE Electron Device Letters、IEEE Transaction on Electron Devices、Applied Physics Letters等电子器件领域国际主流期刊发表SCI论文70余篇，其中第一及通讯作者30篇。申请国家发明专利30余项，其中16项获授权。获得2020年陕西省科学技术进步一等奖，2021年西安市科协青年人才托举计划，2020年西安电子科技大学优秀博士论文。承担多门本科及研究生课程，指导学生多次获得国家奖学金及优秀毕业论文，作为团队指导教师获得国家级各项研究生创新大赛5项，多项成果入选研究生科技成果展。招生信息：招收电子科学与技术微电子学与固体电子学学硕、集成电路科学与工程硕士，广州研究院、芜湖研究院产教融合联合培养硕士。欢迎微电子、集成电路、物理、材料等专业背景同学报考。工作经历：2018.05-2021.07   西安电子科技大学   微电子学院     博士后（讲师）2021.08-至今         西安电子科技大学   微电子学院     副教授重要奖励及荣誉：陕西省科技进步一等奖（2020年）西安电子科技大学优秀博士学位论文（2020年）西安市青年人才托举计划（2021年）教育部青年人才基金（2022年）陕西省高等学校科学技术研究优秀成果一等奖（2023年）研究方向宽禁带半导体器件与芯片面向5G及未来6G射频器件及芯片氮化镓微波毫米波器件及芯片氮化镓新型高线性、高效率器件研究新型多功能收发一体器件太赫兹器件及芯片      代表性论文    1、M. Mi, X. Ma#, L. Yang, Y. Lu, B. Hou, J. Zhu, M. Zhang, H. Zhang, Q. Zhu, L. Yang, Y. Hao；Millimeter-wave power AlGaN/GaN HEMT using surface plasma treatment of access region，IEEE Transactions on Electron Devices，2017，64（12）：4875-48812、M. Mi, X. Ma#, L. Yang, B. Hou, J. Zhu, Y. He, M. Zhang, S. Wu, Y. Hao；90 nm gate length enhancement-mode AlGaN/GaN HEMTs with plasma oxidation technology for high-frequency application，Applied Physics Letters，2017,111（17）：1735023、M. Mi#, S. Wu, M. Zhang, L. Yang, B. Hou, Z. Zhao, L. Guo, X. Zheng, X. Ma#, Y. Hao；Improving the transconductance flatness of InAlN/GaN HEMT by modulating VT along the gate width，Applied Physics Express，2019,12（11）：1140014、M. Mi#, X. Ma#, L. Yang, Y. Lu, B. Hou, M. Zhang, H. Zhang, S. Wu, Y. Hao；Record combination fmax· Vbr of 25 THz· V in AlGaN/GaN HEMT with plasma treatment，AIP Advances，2019,9（4）：0452125、S. Wu, X. Ma#, L. Yang, M. Mi#, M. Zhang, M. Wu, Y. Lu, H. Zhang, C. Yi, Y. Hao；A millimeter-wave AlGaN/GaN HEMT fabricated with transitional-recessed-gate technology for high-gain and high-linearity applications，IEEE Electron Device Letters，2019,40（6）：846-8496、S. Wu, M. Mi#, M. Zhang, L. Yang, B. Hou, X. Ma#, Y. Hao；A High RF-Performance AlGaN/GaN HEMT With Ultrathin Barrier and Stressor In Situ SiN，IEEE Transactions on Electron Devices，2021,68（11）：5553-55587、P. Wang, X. Ma#, M. Mi#, M. Zhang, J. Zhu, Y. Zhou, S. Wu, J. Liu, L. Yang, B. Hou, Y. Hao；Influence of fin-like configuration parameters on the linearity of AlGaN/GaN HEMTs，IEEE Transactions on Electron Devices，2021,68（4）：1563-15698、J. Liu, J. Zhu, M. Mi#, Q. Zhu, S. Liu, P. Wang, Y. Zhou, Z. Zhao, J. Zhou, M. Zhang, M. Wu, B. Hou, H. Wang, L. Yang, X. Ma#, Y. Hao；8.7 W/mm output power density and 42% power-added-efficiency at 30 GHz for AlGaN/GaN HEMTs using Si-rich SiN passivation interlayer，Applied Physics Letters，2022,120（5）：0521019、P. Wang, M. Mi#, M. Zhang, Q. Zhu, J. Zhu, Y. Zhou, J. Chen, Y. Chen, J. Liu, L. Yang, B. Hou, X. Ma#, Y. Hao；Demonstration of 16 THz V Johnson's figure-of-merit and 36 THz V fmax· VBK in ultrathin barrier AlGaN/GaN HEMTs with slant-field-plate T-gates，Applied Physics Letters，2022,120（10）：10210310、Y. Zhou, M. Mi#, M. Yang, Y. Han, P. Wang, Y. Chen, J. Liu, C. Gong, Y. Lu, M. Zhang, Q. Zhu, X. Ma#, Y. Hao；High performance millimeter-wave InAlN/GaN HEMT for low voltage RF applications via regrown Ohmic contact with contact ledge structure，Applied Physics Letters，2022,120（6）：06210411、P. Wang, M. Mi#, X. Du, Y. Zhou, J. Liu, Z. Chen, S. An, Y. Chen, J. Zhu, X. Zheng, X. Ma#, Y. Hao；Optimization of linearity at high electrical field for dual threshold coupling AlGaN/GaN HEMT applied in Ka-band applications，Applied Physics Letters，2022,121（7）：07211012、J. Liu, M. Mi#, J. Zhu, P. Wang, Y. Zhou, S. Liu, Q. Zhu, M. Zhang, B. Hou, H. Wang, L. Yang, X. Ma#, Y. Hao；High-Performance AlGaN/GaN HEMTs With Hybrid Schottky–Ohmic Drain for Ka-Band Applications，IEEE Transactions on Electron Devices，2022,69（8）：4188-419313、Y. Zhou, M. Mi#, Y. Han, P. Wang, Y. Chen, J. Liu, C. Gong, M. Yang, M. Zhang, Q. Zhu, X. Ma#, Y. Hao；High Efficiency Over 70% at 3.6-GHz InAlN/GaN HEMT Fabricated by Gate Recess and Oxidation Process for Low-Voltage RF Applications，IEEE Transactions on Electron Devices，2023,70（1）：43-4714、Y. Zhou, M. Mi#, C. Gong, P. Wang, X. Wen, Y. Chen, J. Liu, M. Yang, M. Zhang, Q. Zhu, X. Ma#, Y. Hao；High-Efficiency Millimeter-Wave Enhancement-Mode Ultrathin-Barrier AlGaN/GaN Fin-HEMT for Low-Voltage Terminal Applications，IEEE Transactions on Electron Devices，2023，Early access15、F. Zhang, X. Zheng#, H. Zhang, M. Mi#, Y. He, M. Du, X. Ma, Y. Hao；Linearity Enhancement of AlGaN/GaN HEMTs With Selective-Area Charge Implantation，IEEE Electron Device Letters，2022，43（11）：1838-184115、Y. Zhou, J. Zhu, M. Mi#, M. Zhang, P. Wang, Y. Han, S. Wu, J. Liu, Q. Zhu, Y. Chen, B. Hou, X. Ma#, Y. Hao；Analysis of low voltage RF power capability on AlGaN/GaN and InAlN/GaN HEMTs for terminal applications，IEEE Journal of the Electron Devices Society，2021，9:756-76216、C. Gong, M. Mi#, Y. Zhou, P. Wang, Y. Chen, J. Liu, Y. Han, S. An, S. Guo, M. Zhang, Q. Zhu, M. Yang, X. Ma, Y. Hao，InAlN/GaN HEMT With n+GaN Contact Ledge Structure for Millimeter-Wave Low Voltage Applications，IEEE Journal of the Electron Devices Society，2023，11:72-77