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个人简介：Personal Profile 郝跃 教授郝跃教授，中国科学院院士，微电子学专家，安徽省阜阳人，微电子学与固体电子学博士生导师。分别于1982年和1985年在西安电子科技大学获半导体物理与器件本科和硕士，1991年西安交通大学获计算数学博士学位。九三学社第十四届中央委员会常委和九三学社陕西省委主委、中国电子学会副理事长。他是”核心电子器件、高端通用芯片和基础软件产品”国家科技重大专项实施专家组组长、国家自然科学基金委员会信息科学部主任、国务院第七届和八届学科评议组电子科学与技术一级学科召集人、高等院校电子信息类专业教学指导委员会主任委员、国家重大基础研究计划（973计划）项目首席科学家、陕西省科学技术协会副主席。他是第九、第十、第十三届全国政协委员和第十一届全国人大代表。2013年当选中国科学院院士。郝跃院士长期从事新型宽禁带半导体器件和材料、新型微纳米半导体器件与材料等方面的科学研究与人才培养。在氮化镓和碳化硅第三代(宽禁带)半导体功能材料和微波毫米波器件、半导体短波长光电材料与器件、微纳米CMOS器件新结构、新器件和可靠性失效机理研究等方面取得了系统的创新成果。他是《电子学报》和《光子学报》主编，《西安电子科技大学学报》编委会主任，《Fundamental Research》副主编。 主要研究方向：1. 宽禁带和超宽禁带半导体器件与材料2. 微纳半导体新器件及其可靠性3. SoC设计与设计方法学 教学与科研成果：郝跃教授的成果：获得国家技术发明奖二等1项（2009年），国家科技进步奖二等2项（2008年、2015年），国家科技进步奖三等1项（1998年）；国家级教学成果一等奖1项（2018年）和国家级教学成果二等奖1项（2014年）；出版《氮化物宽禁带半导体材料与电子器件》（中、英文）、《碳化硅宽带隙半导体技术》、《集成电路制造动力学理论与方法》、《微纳米CMOS器件可靠性与失效机理》和《微电子概论》等多部著作和教材；他2010年获得何梁何利科学与技术奖，2019年获陕西省最高科学技术奖。