教师主页移动版

电子科技大学（深圳）高等研究院   导师代码： 11531 导师姓名： 吴韵秋 性    别： 女 特    称： 职    称： 教授 学    位： 工学博士学位 属    性： 专职 电子邮件： yqwu@uestc.edu.cn 学术经历：   2000年—2004年，电子科技大学，电子工程学院，本科/学士； 2004年—2009年，电子科技大学，电子工程学院，研究生/博士； 2012.11—2013.10，丹麦技术大学，电子电气工程学院，电磁系统系，博士后 个人简介：   吴韵秋，教授，博导，2004年6月和2009年12月毕业于电子科技大学电磁场与微波技术专业，分别获得学士学位和博士学位；2012年11月至2013年10月在丹麦技术大学（Technique University of Denmark, DTU）进行博士后研究；2013年8月在电子科技大学电子工程学院任副教授；2021年8月至今在电子科技大学电子科学与工程学院任教授。当前研究方向为：毫米波集成电路与器件建模技术研究。 科研项目：   主持/参与了国家重点研发计划、科技部重大专项、自然科学基金、四川省科技计划等多项国家及省部级项目，科研经费2000余万元；2020年获四川省科技进步二等奖（排名第2）；在IEEE TMTT等高水平期刊及会议上发表学术论文50余篇。 研究成果：   1.针对晶体管工作时沟道温度与阈值电压难以确定的问题，提出了一种FinFET温度相关阈值电压提取方法（IEEE TMTT，2022），该方法能根据晶体管偏置电压准确预测其实际工作状态下的温度及对应阈值电压，为电路设计提供了有力参考； 2.针对SOI晶体管电容压缩效应，提出SOI晶体管非线性电容模型（IEEE TMTT，2021），准确描述了SOI晶体管工作在三极管区和饱和区的电容压缩特性； 3.针对毫米波晶体管大信号模型，提出沟道载流子浓度高斯分布模型（IEEE TMTT，2020），将模型均方根误差在全域内降低一个数量级； 4.提出了一种超宽带开路-短路去嵌方法，解决了毫米波/太赫兹频段器件测试难度大导致去嵌不准确的难题，实现了1-220GHz频率范围内晶体管的准确去嵌（IEEE TCPMT, 2018）； 5.提出了覆盖1-220GHz的晶体管小信号完整模型（IEEE MWCL, 2017）和改进型衬底电磁耦合模型（IEEE MWCL，2018），进一步揭示了晶体管在亚毫米波频段的信号传输与损耗特性； 6.揭示了SOI晶体管中沟道电流磁场效应新机理（IEEE MWCL（2018），为毫米波/太赫兹集成电路设计提供了理论基础； 7.研究了纳米材料的电磁特性及其表征方法，揭示了单层石墨烯在微波/毫米波频段的电磁特性（IP Advances（2016），并被选为当期的“Editor’s pick”），基于该成果设计了多款柔性滤波器件，应用到某电子对抗系统后有效减少了射频前端体积，获2020年四川省科技进步二等奖。 专业研究方向： 专业名称 研究方向 招生类别 085400电子信息 04电磁场与微波技术（非全） 硕士专业学位 085401新一代电子信息技术（含量子技术等） 01电磁场与微波技术 硕士专业学位