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集成电路科学与工程学院（示范性微电子学院）   导师代码： 12156 导师姓名： 钱凌轩 性    别： 男 特    称： 职    称： 教授 学    位： 工学博士学位 属    性： 专职 电子邮件： lxqian@uestc.edu.cn 学术经历：   2023.05－至今 电子科技大学，集成电路科学与工程学院 （国家示范性微电子学院），教授； 2016.08－2023.04 电子科技大学，微电子与固体电子学院、电子科学与工程学院、集成电路科学与工程学院 ，副教授； 2014.09－2016.07 电子科技大学，微电子与固体电子学院，讲师； 2010.09－2014.08 香港大学，电机电子工程系（EEE），博士研究生； 2003.09－2006.06 四川大学，硕士研究生； 1999.09－2003.07 四川大学，本科； 个人简介：   钱凌轩，教授。2014年毕业于香港大学电机电子工程（EEE）系，获哲学博士学位（PhD），同年加入电子科技大学/电子薄膜与集成器件全国重点实验室，长期从事半导体器件领域研究，尤其是各种新型MOSFET器件。目前研究方向包括：1）氧化镓（第四代半导体）功率器件；2）非晶氧化物薄膜晶体管；3）高K栅介质在MOSFET器件中的应用；4）日盲紫外光电晶体管。2006至2009年，曾就职于中芯国际（北京），任工艺整合部（PIE）代理项目经理，作为骨干全程参与中国第一条65 nm逻辑集成电路工艺研发，并负责前道（FEOL）器件开发。迄今为止，在IEEE Electron Dev. Lett.、Appl. Phys. Lett.、ACS Appl. Mater. Inter. 、ACS Photonics等领域权威期刊上发表SCI论文30余篇；合作撰写英文专著（Springer）1部；申请/授权中国发明专利10余项；主持国家自然科学基金（面上、青年）及其他国家/省部级科研项目多项。 科研项目：   1. 双势垒调控型a-GaOx/石墨烯杂化光电晶体管的构筑与机理研究 国家自然科学基金面上项目 主持; 2. 非晶InGaZnO基异质结及调制掺杂薄膜晶体管的制备与研究 国家自然科学基金青年项目 主持; 3. XXXX敏感特性与微观结构的关系研究 XXXX基金 主持; 4. 单晶铌酸锂薄膜硅基集成技术研究 中电科创新基金 主持; 5. 基于高k柵介质的非晶InGaZnO薄膜晶体管研究 中央高校基本科研业务费 主持. 研究成果：   代表性论著： 1. C. Zhang , B. F. Yang, D. Wang, Z. Y. Zhou, C. Y. Han , L. X. Qian*, P. T. Lai , and X. D. Huang*, InGaZnO Synaptic Transistor Using Metal-Hydroxyl Traps at Back Channel for Weight Modulation, IEEE Transactions on Electron Devices 2023, 70, 4958. 2. Dong Wang, Chao Zhang, Chuanyu Han, Lingxuan Qian？, Xiaodong Huang,？, Interface engineering for a VOx based memristor with an ultralow switching voltage and logic functions, Journal of Alloys and Compounds 2022, 921, 166226. 3. Ling-Xuan Qian,* Wenqi Li, Zhiwen Gu, Jing Tian,* Xiaodong Huang,* Peter To Lai, and Wanli Zhang, Ultra-Sensitive β-Ga2O3 Solar-Blind Photodetector with High-Density Al@Al2O3 Core-Shell Nanoplasmonic Array, Advanced Optical Materials 2021, 10, 2102055. 4. Ling-Xuan Qian,* Zhiwen Gu, Xiaodong Huang,* Hongyu Liu, Yuanjie Lv,* Zhihong Feng, and Wanli Zhang, Comprehensively Improved Performance of β-Ga2O3 Solar-Blind Photodetector Enabled by a Homojunction with Unique Passivation Mechanisms, ACS Appl. Mater. Interfaces 2021, 13, 40837-40846. 5. Yiyu Zhang, L.X. Qian*, P.T. Lai, T.J. Dai, X. Z. Liu, Improved Detectivity of Flexible a-InGaZnO UV Photodetector via Surface Fluorine Plasma Treatment, IEEE Electron Device Letters, 114(11), 1646, 2019. 6. L.X. Qian, H. Y. Liu, Huafan Zhang, Y.R. Li, and W. L. Zhang, Simultaneously improved sensitivity and response speed of β-Ga2O3 solar-blind photodetector via localized tuning of oxygen deficiency, Applied Physics Letters, 114(11), 113506, 2019. 7. Y.Y. Zhang, Ling-Xuan Qian*, and X.Z. Liu, Tailoring the Band Alignment of GaxZn1-xO/InGaZnO Heterojunction for Modulation-Doped Transistor Applications, Phys. Status Solidi A, 215, 1800332, 2018. 8. Ling-Xuan Qian*, Ze-Han Wu, Yi-Yu Zhang, P. T. Lai, Xing-Zhao Liu, and Yan-Rong Li, Ultrahigh-responsivity, rapid-recovery, solar-blind photodetector based on highly nonstoichiometric amorphous gallium oxide, ACS Photonics, 4, 2203, 2017. 9. L.X. Qian*, Z.H. Wu, Y.Y. Zhang, Y. Liu, J.Q. Song, X.Z. Liu, and Y.R. Li, Band alignment and interfacial chemical structure of HfLaO/InGaZnO4 heterojunction investigated by X-ray photoelectron spectroscopy, J. Phys. D: Appl. Phys., 50, 145106, 2017. 10. Ling-Xuan Qian*, Hua-Fan Zhang, P. T. Lai, Ze-Han Wu, and Xing-Zhao Liu, High-sensitivity β-Ga2O3 solar-blind photodetector on high-temperature pretreated c-plane sapphire substrate, Opt. Mater. Express, 7, 3643, 2017. 11. Y.Y. Zhang, Ling-Xuan Qian*, and X.Z. Liu, Determination of the band alignment of IGZO/a-IGMO heterojunction for high-electron mobility transistor application, Phys. Status Solidi RRL, 00, 1700251, 2017. 12. L.X. Qian*, Y. Wang, Z.H. Wu, T. Sheng, and X.Z. Liu, β-Ga2O3 solar-blind Deep-Ultraviolet photodetector based on annealed sapphire substrate, Vacuum, 140, 106, 2017. 13. L.X. Qian*, X.Z. Liu, T. Sheng, W.L. Zhang, Y.R. Li, and P.T. Lai, “β-Ga2O3 solar-blind deep-ultraviolet photodetector based on a four-terminal structure with or without Zener diodes”, AIP Advances, 6, 045009, 2016. 14. L.X. Qian and P.T. Lai, Fluorinated InGaZnO Thin-Film Transistor with HfLaO Gate Dielectric, IEEE Electron Dev. Lett., 35(3), 363-365, 2014. 15. L.X. Qian, P.T. Lai, and W.M. Tang, Effects of Ta Incorporation in La2O3 Gate Dielectric of InGaZnO Thin-Film Transistor, Appl. Phys. Lett., 104, 123505, 2014. 16. L.X. Qian and P.T. Lai, Improved Performance of InGaZnO Thin-Film Transistor with HfLaO Gate Dielectric Annealed in Oxygen, IEEE Trans. Dev. Mater. Reliab., 14(1), 177-181, 2014. 17. L.X. Qian, X.Z. Liu, C.Y. Han, and P.T. Lai, Improved Performance of Amorphous InGaZnO Thin-Film Transistor with Ta2O5 Gate Dielectric by Using La Incorporation, IEEE Trans. Dev. Mater. Reliab., 14(4), 1056-1060, 2014. 18. L.X. Qian, W.M. Tang, and P.T. Lai, Improved Characteristics of InGaZnO Thin-Film Transistor by Using Fluorine Implant, ECS Solid State Lett.; 3(8), P87-P90, 2014. 19. L.X. Qian and P.T. Lai, “A Study on the Electrical Characteristics of InGaZnO Thin-Film Transistor with HfLaO Gate Dielectric Annealed in Different Gases”, Microelectron. Reliab., 54, 2396-2400, 2014. 发明专利： (1) 一种大范围np连续可调的石墨烯掺杂方法，2022.03, CN202210318765.4. (2) 一种稀土元素掺入的铪基二元氧化物薄膜的制备方法，2022.03,申请号CN202210319041.1. (3) 一种基于锡氧化物的pn结及其制备方法, 2021-3-30, 中国, CN202110339589.8. (4) 一种氧化物基耗尽型负载反相器的制备方法，2021-3-29, 中国, CN202110335300.5 (5) 氧化物半导体基光电探测器及提高其性能的方法, 2020-3-17, 中国, ZL201810089912.9. (6) 一种新型的光电导探测器, 2017-7-7, 中国, ZL201510765882.5. (7) 基于三层结构的半导体光电探测器及其制备方法, 2019-3-29, ZL201910249215.X. (8) 一种石墨烯基异质结场效应晶体管、制备方法及其集成电路, 2019-9-5, CN201910838249.2. 专业研究方向： 专业名称 研究方向 招生类别 140100集成电路科学与工程 01微电子器件与集成电路 硕士学术学位 085403集成电路工程 01微电子器件与集成电路 硕士专业学位