陈之战教师主页

陈之战 (6) 基本信息 性别：男 聘任技术职务：研究员 学历：博士研究生毕业 联系电话：1391089580 电子邮箱：zzchen@shnu.edu.cn 通讯地址：上海市徐汇区桂林路100号 部门：数理学院 学位：工学博士学位 毕业院校：西北轻工业学院 办公地址：第二教学楼331室 研究方向 （1）碳化硅晶体生长研究（2）碳化硅光电器件研究（3）半导体器件仿真 学术成果（以下信息源于科研管理系统） 论文 [1] 赵振宇,陈之战,石旺舟. An investigation of terahertz response in monocrystalline 6H-SiC for electro-optic sampling. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REV,2014,53(02):022601-1~022601-6. [2] 罗从文,赵振宇,石旺舟,陈之战. An investigation on terahertz response in electro-optic crystals excited at 1.03 μm wavelength. CHINESE SCIENCE BULLETIN,2014,59(11):1187-1191. [3] 罗从文,赵振宇,闫爱民,胡志娟,石旺舟,陈之战. 掺镱飞秒脉冲激光激发DAST晶体产生THz谱的可行性研究. 华东师范大学学报.自然科学版,2014,4(4):88~93. [4] Yong-Ping Zhang,陈之战,卢吴越,谈嘉惠,程越,石旺舟. Effect of additional silicon on titanium/4H-SiC contacts properties. CHINESE PHYSICS B,2014,23(5):057303. [5] Jia-Hui Tan,陈之战,Lu Wuyue,Cheng Yue,He Hong,Liu Yihong,Sun Yujun,Zhao Gaojie. Fabrication of uniform 4H-SiC mesopores by pulsed electrochemical etching. NANOSCALE RESEARCH LETTERS,2014,9(9):570. [6] 陈之战,张永平,卢吴越,程越,谈嘉慧. 锌铬尖晶石水热合成及形成机理研究. 人工晶体学报,2014,43(2):355-360. [7] 谈嘉慧,陈之战,张永平,何鸿. n型Si侧蚀的电学机理研究. 功能材料与器件学报,2014,20(1):31-36. [8] 张永平,陈之战,程越,卢吴越,谈嘉慧,赵高杰,刘益宏,孙玉俊,石旺舟,李万荣,陆逸枫. 光刻图形转移技术. 上海师范大学学报自然科学版,2014,43(2):132-136. [9] 程越,陈之战. Effect of the annealing temperature on the long-term thermal stability of Pt/Si/Ta/Ti/4H–SiC contacts. CHINESE PHYSICS B,2015,24(10):107303. [10] 张永平,陈之战. 激光触发能量对横向结构4H-SiC光导开关导通电阻的影响. 强激光与粒子束,2015,27(5):055003. [11] 童武林,陈之战. 4H-SiC肖特基二极管载流子输运的温度效应. 上海师范大学学报自然科学版,2015,44(4):430-434. [12] Shao-xiong Liu,陈之战. High-Performance of Al Nanoparticle enhanced 4H-SiC MSM Photodiodes for Deep Ultraviolet Detection. IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS,2017,38(10):1405-1408. [13] Yi-feng Lu,陈之战. Effects of annealing treatment on the high temperature performance of 4H-SiC metal- semiconductor-metal ultraviolet photodiodes. MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING,2017,71(C):116-120. [14] 程越,陈之战,卢吴越,王涛. Fabrication of Ohmic contact on semi-insulating 4H-SiC substrate by laser thermal annealing. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,2016,119(10):225705. [15] 刘益宏,陈之战,孙玉俊,赵高杰,廖黎明,王涛. Crystal structure induced residue formation on 4H-SiC by reactive ion etching. AIP ADVANCES,2016,6(06):065219. [16] 卢吴越,陈之战. 不同退火方式对Ni/SiC接触界面性质的影响. 物理学报,2015,64(6):067303. 教学工作 教职工课程信息开课学年开课学期课程名称2022-20232半导体物理2021-20222半导体物理2020-20212半导体物理2020-20211半导体物理与器件（下）2019-20202半导体物理与器件（上）2019-20201半导体物理与器件（下）2018-20192半导体物理与器件22018-20191半导体物理与器件22023-20241光电子器件与工艺2017-20181研究生课程2017-20182半导体物理与器件（上）2016-20172半导体物理2023-20242半导体物理 荣誉奖励 社会兼职